Samsung Electronics Co., Ltd. (OTC:SSNLF) ha declarado su intención de producir en masa el innovador chip de quinta generación HBM3E en el segundo trimestre. Esto sigue a un primer trimestre próspero, durante el cual la compañía invirtió 82.070 millones de dólares (11,3 billones de KRW).
Samsung invierte en semiconductores y pantallas
La inversión en instalaciones de Samsung en el primer trimestre totalizó 11,3 billones de KRW. De esto, los semiconductores y las pantallas representaron 9,7 billones de KRW y 1,1 billones de KRW, respectivamente, según informó Chosun, un portal coreano. La compañía también presentó planes para producir en masa su chip de quinta generación HBM3E en el segundo trimestre. Este chip es el primero en la industria, capaz de apilar chips DRAM hasta 12 capas.
En febrero, Samsung anunció el exitoso desarrollo del HBM3E, que ofrece más ventajas para expandir la capacidad de los semiconductores de inteligencia artificial (IA) que el HBM3E de 8 capas existente. Esto se debe principalmente a que aumentar la capacidad de DRAM en los semiconductores de IA mejora la eficiencia del aprendizaje.
Hay un alto nivel de anticipación por el suministro de Nvidia, especialmente después de que el CEO de Nvidia (NASDAQ:NVDA), Jensen Huang, dejara su firma “Jensen Approved” en el producto HBM3E de Samsung el mes pasado. Sin embargo, se proyecta que el producto producido en masa en el segundo trimestre se instalará en el nuevo acelerador de IA de AMD, “Instinct MI350”.
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Aumentar la producción de semiconductores de IA
Con la creciente demanda de semiconductores de IA, los planes de Samsung para aumentar el suministro y expandir la capacidad de producción de HBM son oportunos. La compañía tiene como objetivo maximizar la capacidad de producción del producto HBM3E de 12 capas desarrollado por primera vez en la industria, ya que la demanda de productos de alta capacidad continúa aumentando.
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