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    Samsung Electronics alcanza ganancias récord gracias al auge de chips de IA y memoria HBM

    Anusuya LahiriAnusuya Lahiri14/10/2025 Asia 4 min. de lectura
    Samsung Electronics alcanza ganancias récord gracias al auge de chips de IA y memoria HBM
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    Samsung Electronics (OTC:SSNLF) está a punto de anunciar sus mayores ganancias trimestrales en más de tres años, impulsadas por el aumento global de la producción de chips de IA. Esta mayor demanda ha limitado el suministro y elevado los precios de los chips de memoria convencionales, que siguen siendo fundamentales para el negocio de la compañía.

    El gigante tecnológico surcoreano, uno de los principales competidores de Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (NYSE:TSM), prevé unos ingresos operativos de 12,1 billones de wones (8500 millones de dólares) para el trimestre de septiembre, lo que supone un aumento del 31,8 % con respecto al año anterior. Se espera que los ingresos aumenten un 8,7 % hasta alcanzar la cifra récord de 86 billones de wones.

    Los analistas señalan la memoria de alto ancho de banda (HBM) como un factor clave para el crecimiento. Sanjeev Rana, de CLSA Securities Korea, declaró a Bloomberg que los envíos de HBM de Samsung aumentaron entre un 70 % y un 80 % con respecto al trimestre anterior, y añadió que las amortizaciones en el negocio de fundición de la empresa probablemente fueron menores de lo que se esperaba inicialmente.

    También puedes leer: Nvidia aprueba memoria HBM3E de Samsung para aceleradores de IA

    Samsung podría haber recuperado su puesto como principal fabricante de memorias en términos de ingresos después de que las inversiones relacionadas con la inteligencia artificial impulsaran los precios y los volúmenes de ventas de DRAM y NAND de uso general, según declaró MS Hwang, director de investigación de Counterpoint, a Bloomberg.

    Añadió que los envíos de chips HBM3E a Nvidia (NASDAQ:NVDA) tienen actualmente un impacto limitado, pero subrayó que mantener el impulso hacia HBM4 será fundamental para recuperar su anterior liderazgo en el mercado.

    Ryu Young-ho, de NH Investment & Securities, declaró a Reuters que las sólidas ventas de memoria convencional para servidores de uso general, junto con la demanda de memoria de alto ancho de banda para servidores de IA, sustentaron el crecimiento general.

    Sohn In-joon, de Heungkuk Securities, destacó que los precios más altos de lo esperado de la DRAM y la NAND, impulsados por la escasez de suministro y la fuerte demanda de los centros de datos, impulsaron aún más las ganancias.

    Los analistas también señalaron que la mejora de las tasas de utilización, la reducción de las pérdidas en la unidad de fundición de Samsung y la eficiencia de los costos fijos respaldaron la rentabilidad.

    Los precios de la DRAM, en particular, han subido más de un 170 % interanual en medio de la actual escasez de suministro, que los analistas esperan que persista hasta 2026.

    Según informa Reuters, los analistas esperan que las ventas de HBM de Samsung mejoren después de que los chips HBM3E de 12 capas de la empresa hayan sido aprobados para su uso en los sistemas GB300 de Nvidia.

    Aunque se espera que los volúmenes de envío iniciales sean limitados, esto supone una victoria significativa para Samsung en el mercado de HBM, donde se ha quedado rezagada con respecto a su rival SK Hynix.

    De cara al futuro, Samsung se está centrando en sus productos HBM4 de próxima generación para cerrar la brecha de cuota de mercado. Según se informa, la empresa va por buen camino con el desarrollo de HBM4, en colaboración con importantes clientes estadounidenses, y espera que los envíos comerciales comiencen en 2026.

    También se espera que las alianzas estratégicas, como el proyecto Stargate con OpenAI y los acuerdos de suministro de chips con Apple (NASDAQ:AAPL) y Tesla (NASDAQ:TSLA), reforcen los ingresos y reduzcan las pérdidas en el negocio de fundición de la empresa.

    Imagen: Sybillla / Shutterstock

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