China se acerca a la autosuficiencia en la producción de chips de 7 nanómetros

BEIJING, 30 de noviembre de 2020 /PRNewswire/ — Nota informativa publicada por China.org.cn en la que se destacan los trabajos de China rumbo a la autosuficiencia en la producción de chips de 7 nanómetros.

China ha hecho recientemente nuevos avances en su proceso de fabricación de chips de 7 nonómetros, según se informa, desarrollando herramientas y conocimientos técnicos para varios segmentos del proceso de fabricación, logros que ocurren en medio de esfuerzos para reducir la dependencia de los proveedores de equipos y materiales extranjeros.

El mes pasado, el proveedor de soluciones de personalización de chips de China, Innosilicon, anunció que había grabado y completado las pruebas de un chip prototipo basado en el proceso FinFET N+1 de la empresa Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC). Este logro marca un nuevo paso adelante en el desarrollo nacional de chips de China.

Dadas las enormes restricciones comerciales impuestas por Estados Unidos, se dice que el nodo de fundición de nueva generación de SMIC es comparable al proceso de 7 nanómetros de la compañía Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), el mayor fabricante independiente de semiconductores del mundo.

Como la fundición de chips más grande de China, SMIC presentará su nodo N+1 7 nanómetros, y esto, en consecuencia, marcará una mejora significativa sobre su actual nodo de producción de 14 nanómetros, con un aumento del 20% en el rendimiento, una reducción de consumo de energía de 57%, un área lógica reducida de 63%, y una reducción de área de SoC (sistema enchip) de 55%, según la compañía.

Además, el nodo de fundición N+1 puede permitir a SMIC romper su dependencia de las máquinas de litografía ultravioleta extrema (EUV) avanzadas que, a su vez, son producidas por el fabricante holandés de máquinas de microchip ASML, según explica Liang Mengsong, co presidente ejecutivo de SMIC. ASML está sujeto a los controles de exportación de Estados Unidos, ya que sus productos contienen tecnología estadounidense.

Al mismo tiempo, China está trabajando arduamente para desarrollar su propio sistema de litografía.

El Instituto Suzhou de Nanotecnología y Nanobiónica, adscrito a la Academia China de Ciencias (Sinano por sus siglas en inglés), junto con el Centro Nacional de Nanociencia y Tecnología, anunció recientemente un gran avance en un nuevo tipo de tecnología de litografía láser de 5 nanómetros. Los expertos creen que podría sentar las bases para la investigación en una máquina de litografía avanzada de desarrollo propio.

La nueva tecnología ha roto la restricción tradicional en la escritura directa láser (LDW por sus siglas en inglés) con su capacidad para procesar a nivel nano. Además de la precisión ultra alta, la tecnología también demuestra el potencial de producción en masa.

Según los resultados de la investigación publicados en Nano Letters, una revista científica mensual revisada mediante un sistema por pares doble ciego, la nueva tecnología LDW “exhibe una capacidad atractiva de control de sitio y producción en masa de 500.000 electrodos nanogap por hora”, rompiendo el equilibrio entre resolución y rendimiento, y utilizando técnicas de nanofabricación.

Durante la reciente Exposición Internacional de Importaciones de China (CIIE por sus siglas en inglés) celebrada en Shanghai, ASML, el líder mundial en máquinas de litografía, presentó sus máquinas de litografía ultravioleta profunda (DUV por sus siglas en inglés), y con ello, envió una fuerte señal que evidenciaba su capacidad y disposición para exportar el equipo a China.

El director financiero de ASML, Roger Dassen, ha declarado que la empresa puede exportar máquinas de litografía DUV a China sin una licencia estadounidense. La tecnología normalmente puede producir chips hasta el nodo de 7 nanómetros.

Por lo que respecta a los materiales, Nata Opto-electronic Materials, con oficinas en la oriental provincia china de Jiangsu, anunció que ha establecido la primera línea de producción fotorresistente ArF de China, que se utiliza para transferir patrones de circuitos electrónicos a cristales de silicio en el proceso de fabricación de chips de 7 nm.

Anteriormente, los materiales fotorresistentes producidos en China sólo se podían aplicar en la producción de chips con estándares de 436 y 365 nanómetros.

Como el mercado de semiconductores más grande del mundo, China ha estado desembolsando onerosamente en inversión y adquisición de semiconductores, y en reclutamiento de talentos, para fortalecer la industria mediante la fabricación de chips de alto calado iguales a los de las principales fundiciones del mundo.

Un informe de Goldman Sachs publicado el 2 de julio proyectó que China podría ser capaz de producir chips de 7 nanómetros para 2023.

Thomas Friedman, columnista de The New York Times, dijo durante un foro online el 11 de noviembre que China intenta construir toda una cadena de suministro de microchips desde el origen hasta el consumidor final, y ya no dependerá de las tecnologías estadounidenses, según el último plan quinquenal del país.